Приборы микроэлектроники в судовой технике

В книге рассмотрены приборы современной микроэлектроники, используемые в судовой технике. Изложены основы теории и описано устройство микроэлектронных приборов, применяемых в различных системах судовой радиоэлектроники и автоматики. Особое внимание уделено перспективным микроэлектронным приборам, которые находят и найдут широкое распространение на судах, подробно освещаются теория, принцип работы и возможные сферы использования приборов микроэлектроники как активных элементов полупроводниковых и пленочных микросхем. При этом рассматриваются не только обычные полупроводниковые и тонкопленочные приборы, основанные на эффекте поля, но и приборы, основанные на явлении сверхпроводимости, гальваномагнитных явлениях, а также электронно-оптические приборы.
Книга рассчитана на широкий круг инженеров и научных работников судостроительной промышленности, а также преподавателей, аспирантов и студентов старших курсов кораблестроительных институтов, радиотехнических и электротехнических факультетов втузов.

Оглавление
Предисловие
Глава 1. Общая характеристика микросхем
§ 1.1. Общие сведения
§ 1.2. Пленочные интегральные микросхемы
§ 1.3. Полупроводниковые интегральные микросхемы
§ 1.4. Гибридные интегральные микросхемы
Глава 2. Общие вопросы теории полупроводниковых приборов микроэлектроники
§ 2.1. Элементы квантовой теории и туннельный эффект
§ 2.2. Элементы термодинамики и статистики электронов в полупроводниках
§ 2.3. Кристаллическая решетка твердых тел
§ 2.4. Полупроводники и зонная теория твердых тел
§ 2.5. Вопросы электропроводности и диффузии носителей тока в полупроводниках
§ 2.6. Основы теории контактных явлений
Глава 3. Активные элементы полупроводниковых микросхем
§ 3.1. Выпрямляющий контакт металла с полупроводником и p-n-переход
§ 3.2. Основы теории p-n-перехода
§ 3.3. Полупроводниковые триоды (транзисторы)
§ 3.4. Приборы, основанные на воздействии света на p-n-переход
§ 3.5. Туннельные и обращенные диоды
Глава 4. Активные элементы пленочных микросхем
§ 4.1. Приборы, основанные на эффекте поля
§ 4.2. Характеристики МДП-транзисторов и пленочные приборы
§ 4.3. Приборы, основанные на явлении сверхпроводимости (криоэлектроника)
§ 4.4. Приборы, основанные на гальваномагнитных явлениях
§ 4.5. Электронно-оптические приборы (оптоэлектроника)
Заключение
Указатель литературы