Транзисторы 1Т308А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в автогенераторах, усилителях мощности, импульсных устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Основные технические характеристики транзистора 1Т308А:
- Структура: p-n-p
- Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт
- Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 90 МГц
- Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В
- Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В
- Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА
- Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА
- h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20...75 (1В; 10мА)
- Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 8 (5В)
- Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется
- tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 400 пс