Сб с 10 до 16
Структура транзистора: p-n-p
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 3 Вт
Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В
Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 1 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1500 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 2000 мкА
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 20-60
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 130 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 40 Ом